特博公司專業提供砷化鎵襯底晶片(高質量)和多晶砷化鎵晶棒,單晶砷化鎵晶棒產品用於LED, LD和太陽能市場,深受國內外客戶的好評。砷化鎵多晶棒
合成方法:水平法(HB)
用 途:可用於發光二極管(LED)、激光二極管(LD)以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
|
|
砷化鎵多晶料性能指標
|
|
|
|
|
原料純度
|
6N 及以上
|
|
導電類型
|
N 型
|
|
遷移率(cm2/V•s)
|
2500~3500
|
|
載流子濃度(cm-3)
|
1.0×1016~1.0×1017
|
|
產品外觀
|
D 字形
|
|
尺寸
|
約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長
|
|
|
|
砷化鎵單晶棒
生長方法
|
VB
|
|
導電類型
|
N型
|
|
摻雜元素
|
Si
|
|
直徑
|
2-4
|
英吋
|
方向
|
(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A
|
|
載流子濃度
|
Min: 0.2 E18
|
Max: 4.0 E18
|
/cm3
|
電阻率
|
Min: 0.8 E-3
|
Max: 9.0 E-3
|
Ohm.cm
|
遷移率
|
≥ 1800
|
cm2/v.s
|
位錯密度
|
≤ 3500
|
/cm2
|
其他規格可按客戶要求提供