特博公司專業提供砷化鎵襯底晶片（高質量）和多晶砷化鎵晶棒，單晶砷化鎵晶棒產品用於LED, LD和太陽能市場，深受國內外客戶的好評。砷化鎵多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用於發光二極管（LED）、激光二極管（LD）以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
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砷化鎵多晶料性能指標
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原料純度
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6N 及以上
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導電類型
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N 型
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遷移率（cm2/V＆#8226;s）
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2500~3500
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載流子濃度（cm-3）
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1.0×1016~1.0×1017
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產品外觀
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D 字形
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尺寸
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約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長
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砷化鎵單晶棒
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生長方法
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VB
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導電類型
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N型
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摻雜元素
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Si
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直徑
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2-4
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英吋
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方向
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(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A
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載流子濃度
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Min: 0.2 E18
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Max: 4.0 E18
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/cm3
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電阻率
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Min: 0.8 E-3
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Max: 9.0 E-3
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Ohm.cm
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遷移率
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≥ 1800
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cm2/v.s
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位錯密度
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≤ 3500
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/cm2
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其他規格可按客戶要求提供
