砷化鎵襯底晶棒

砷化鎵襯底晶棒

型號︰晶棒

品牌︰特博

原產地︰中國

單價︰CNY ¥ 1 / 個

最少訂量︰1 個

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產品描述

特博公司專業提供砷化鎵襯底晶片(高質量)和多晶砷化鎵晶棒,單晶砷化鎵晶棒產品用於LED,  LD和太陽能市場,深受國內外客戶的好評。砷化鎵多晶棒

 合成方法:水平法(HB

 

 

   用 途:可用於發光二極管(LED)、激光二極管(LD)以及太陽能

   電池 等領域砷化鎵單晶的生產。

 

 

 

砷化鎵多晶料性能指標

 

 

 

 

原料純度

6N 及以上

 

導電類型

N

 

遷移率(cm2/V#8226;s

2500~3500

 

載流子濃度(cm-3

1.0×1016~1.0×1017

 

產品外觀

D 字形

 

尺寸

60mm × 45mm × 330mm

 

 

 

 

 

    砷化鎵單晶棒

 

生長方法

VB

 

導電類型

N

 

摻雜元素

Si

 

直徑

2-4

英吋

方向

(100) 150 ± 10′off toward111A

 

載流子濃度

Min: 0.2 E18

Max: 4.0 E18

/cm3

電阻率

Min: 0.8 E-3

Max: 9.0 E-3

Ohm.cm

遷移率

≥ 1800

cm2/v.s

位錯密度

≤ 3500

/cm2

   

  其他規格可按客戶要求提供

產品圖片