砷化鎵襯底晶棒
產品描述
特博公司專業提供砷化鎵襯底晶片（高質量）和多晶砷化鎵晶棒，單晶砷化鎵晶棒產品用於LED, LD和太陽能市場，深受國內外客戶的好評。砷化鎵多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用於發光二極管（LED）、激光二極管（LD）以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
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砷化鎵多晶料性能指標 |
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原料純度 |
6N 及以上 |
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導電類型 |
N 型 |
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遷移率（cm2/V＆#8226;s） |
2500~3500 |
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載流子濃度（cm-3） |
1.0×1016~1.0×1017 |
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產品外觀 |
D 字形 |
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尺寸 |
約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長 |
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砷化鎵單晶棒
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生長方法 |
VB |
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導電類型 |
N型 |
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摻雜元素 |
Si |
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直徑 |
2-4 |
英吋 |
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方向 |
(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A |
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載流子濃度 |
Min: 0.2 E18 |
Max: 4.0 E18 |
/cm3 |
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電阻率 |
Min: 0.8 E-3 |
Max: 9.0 E-3 |
Ohm.cm |
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遷移率 |
≥ 1800 |
cm2/v.s |
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位錯密度 |
≤ 3500 |
/cm2 |
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其他規格可按客戶要求提供
產品圖片
