特博公司专业提供砷化镓衬底晶片（高质量）和多晶砷化镓晶棒，单晶砷化镓晶棒产品用于LED, LD和太阳能市场，深受国内外客户的好评。砷化镓多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
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砷化镓多晶料性能指标
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原料纯度
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6N 及以上
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导电类型
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N 型
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迁移率（cm2/V＆#8226;s）
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2500~3500
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载流子浓度（cm-3）
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1.0×1016~1.0×1017
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产品外观
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D 字形
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尺寸
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约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长
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砷化镓单晶棒
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生长方法
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VB
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导电类型
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N型
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掺杂元素
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Si
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直径
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2-4
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英寸
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方向
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(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A
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载流子浓度
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Min: 0.2 E18
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Max: 4.0 E18
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/cm3
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电阻率
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Min: 0.8 E-3
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Max: 9.0 E-3
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Ohm.cm
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迁移率
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≥ 1800
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cm2/v.s
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位错密度
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≤ 3500
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/cm2
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其他规格可按客户要求提供
