外延硅片

外延硅片

型號︰硅片

品牌︰特博

原產地︰中國

單價︰CNY ¥ 1 / 片

最少訂量︰1 片

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產品描述

 特博公司加工定製各種硅外延片,可接受批量訂單。出口品質,

一、硅外延的定義
硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術,它是在一定的條件下,在硅單晶的襯底片上,沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型,電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。
二、硅外延生長工藝的優點
1、 生長溫度比它本身的熔點要低
2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層
3、 由於摻雜工藝靈活,可以獲得多種結構的單晶或多層外延便於器件參數結構的調整
三、硅外延工藝的分類
1、 按結構分類 同質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料相同,例如N/N+,P/P+
          異質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料不同,例:SOI(絕緣襯底上外延)
2、 按外延層的厚度和電阻率分類                  
厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制
3、 按外延生長方法分類
直接法——不經過中間化學反應,硅原子直接從源轉移到襯底片上形成外延層,例:真空濺射法,分子束外延(物理法)液相外延等等
間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子,然後在襯底上澱積形成外延層,我們的硅外延就屬於間接生長工藝
四、硅外延的基本原理
1、四種硅源的化學反應及其優點
表一.硅烷和氯硅烷外延
硅源 熔點(℃) 沸點(℃) 化學反應式 澱積壓力 溫度範圍 典型生長速率um/min
SiCl4 -68 57.6 SiCl4+2H2=Si+4HCl 常壓減壓 1150-1200 0.5-1.2
SiHCl3 -127 31.8 SiHCl3+H2=Si+3HCl 常壓減壓 1100-1150 1.0-3
SiH2Cl2 -122 8.3 SiH2Cl2=SI+2HCl 常壓減壓 1050-1100 0.5-2
SiH4 -185 -112 SiH4=Si+2H2 常壓減壓 900-1000 0.1-0.5

2、硅外延的生長過程
硅的化學氣相沉積外延生長其原理是在高溫(>1100℃)的襯底上輸送硅的化合物(SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等)利用氫(H2)在襯底上通過還原反應析出硅的方法。
氣相外延生長過程包括:
(1)反應劑(SiCl4或SiHCl3+H2)氣體混合物質量轉移到襯底表面;
  (2)吸收反應劑分子在表面上(反應物分子穿過附面層向襯底表面遷移);
  (3)在表面上進行反應得到硅原子及其副產物;
  (4)釋放出副產物分子;
  (5)副產物分子向主氣流質量轉移;(排外)
  (6)硅原子先在生長層表面形成原子集團——晶核,接着加接到晶核上,使晶核增大,形成新的晶面。

 

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