砷化镓衬底晶棒
产品描述
特博公司专业提供砷化镓衬底晶片（高质量）和多晶砷化镓晶棒，单晶砷化镓晶棒产品用于LED, LD和太阳能市场，深受国内外客户的好评。砷化镓多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
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砷化镓多晶料性能指标 |
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原料纯度 |
6N 及以上 |
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导电类型 |
N 型 |
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迁移率（cm2/V＆#8226;s） |
2500~3500 |
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载流子浓度（cm-3） |
1.0×1016~1.0×1017 |
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产品外观 |
D 字形 |
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尺寸 |
约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长 |
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砷化镓单晶棒
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生长方法 |
VB |
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导电类型 |
N型 |
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掺杂元素 |
Si |
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直径 |
2-4 |
英寸 |
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方向 |
(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A |
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载流子浓度 |
Min: 0.2 E18 |
Max: 4.0 E18 |
/cm3 |
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电阻率 |
Min: 0.8 E-3 |
Max: 9.0 E-3 |
Ohm.cm |
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迁移率 |
≥ 1800 |
cm2/v.s |
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位错密度 |
≤ 3500 |
/cm2 |
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其他规格可按客户要求提供
产品图片
